消息稱英偉達(dá)考慮“首發(fā)”臺(tái)積電首個(gè)背面供電先進(jìn)制程 A16
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  • 2025-09-17 14:19:47
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    消息稱英偉達(dá)考慮“首發(fā)”臺(tái)積電首個(gè)背面供電先進(jìn)制程 A16

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    IT之家 9 月 15 日消息,臺(tái)媒《工商時(shí)報(bào)》今日援引供應(yīng)鏈的消息表示,英偉達(dá)考慮率先導(dǎo)入臺(tái)積電首個(gè)采用背面供電 (BSPDN) 技術(shù)的先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn) A16。

    報(bào)道指出,英偉達(dá)上次使用臺(tái)積電最先進(jìn)制程技術(shù)制造芯片還是 110nm 時(shí)期,即 2004 年的 NV43 芯片。而英偉達(dá)之所以打破了這持續(xù) 20 余年的“常規(guī)”,是因?yàn)槠淇瓷狭?A16 的潛力。

    臺(tái)積電在 A16 中導(dǎo)入了名為超級(jí)電軌 (Super Power Rail, SPR) 的解決方案,不僅釋放了晶圓正面空間同時(shí)大幅度改進(jìn)了壓降問(wèn)題,還能保持與傳統(tǒng)正面供電下相同的柵極密度、布局版框尺寸和組件寬度調(diào)節(jié)的彈性。

    相較臺(tái)積電第二代 2nm 制程工藝 N2P,A16 在相同工作電壓下速度提升 8~10%、相同速度下功耗降低 15~20%、芯片密度提升 10%,顯示了全面的 PPA 改進(jìn),適用于 HPC 高性能計(jì)算芯片。

    近年以來(lái)臺(tái)積電先進(jìn)制程的首發(fā)芯片多是移動(dòng)處理器或是礦機(jī)芯片,而在 N2 節(jié)點(diǎn)上 AMD 以"Zen 6" EPYC"Venice" 打破了這一局面,顯示 AI / HPC 已步入全球半導(dǎo)體市場(chǎng)舞臺(tái)的中央。英偉達(dá)有望臺(tái)積電 A16 制程打造"Rubin" 后的下一代"Feynman" AI GPU。

    【糾錯(cuò)】【責(zé)任編輯:吧里正常人好少】