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    SK海力士宣布率先完成HBM4開發(fā),并已構建量產(chǎn)體系

    來源:{getone name="zzc/xinwenwang"/}2025-09-18 19:38:34

    SK海力士宣布,已成功完成面向AI的超高性能存儲器新產(chǎn)品HBM4的開發(fā),并在全球首次構建了量產(chǎn)體系。SK海力士將按客戶日程及時供應業(yè)界最高性能HBM4,以鞏固競爭優(yōu)勢。

    HBM4屬于第六代HBM產(chǎn)品,英偉達將是SK海力士的首個客戶,用于明年的Rubin架構數(shù)據(jù)中心GPU上。其采用了較前一代產(chǎn)品翻倍的2048條數(shù)據(jù)傳輸通道,將帶寬擴大一倍,同時能效也提升40%以上,從而實現(xiàn)了全球最高水平的數(shù)據(jù)處理速度和能效。同時SK海力士還實現(xiàn)了高達10Gbps以上的運行速度,大幅超越JEDEC標準規(guī)定的8Gbps。

    SK海力士沿用了在HBM3E獲得認可的MR-MUF工藝,從而在現(xiàn)有12層堆疊上達到了最大36GB容量。該工藝不但能控制芯片的翹曲現(xiàn)象,還有效提升了散熱性能,由此最大程度地提高了產(chǎn)品的穩(wěn)定性。此外,SK海力士還采用了成熟的1β (b) nm(第五代10nm級別)工藝來制造HBM4所需要的DRAM芯片,最大程度地降低了量產(chǎn)過程中的風險。

    SK海力士預計,將新產(chǎn)品引入客戶系統(tǒng)后,AI服務性能最高可提升69%,不僅能從根本上解決數(shù)據(jù)瓶頸問題,還能顯著降低數(shù)據(jù)中心電力成本。SK海力士表示,HBM4的開發(fā)完成將成為業(yè)界新的里程碑,再次彰顯了自身在面向AI的存儲器技術領域的領導地位,并公告了競爭優(yōu)勢。

    [責編:{getone name="zzc/mingzi"/}]
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