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智通財經APP獲悉，投資機構花旗于周二表示，受人工智能(AI)領域對內存需求激增的推動，這一關鍵科技商品在2026年可能出現(xiàn)“供不應求”的情況。
花旗分析師在給客戶的報告中指出：“我們預計，2026年動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)與NAND閃存都將進入供不應求狀態(tài)，其中DRAM的供需比預計為-1.8%，NAND閃存的供需比預計為-4.0%。
我們認為，隨著AI需求從‘AI訓練’階段轉向‘AI推理’及邊緣AI設備，普通服務器內存、移動設備DRAM，以及高帶寬、高密度NAND閃存(如基于QLC技術的企業(yè)級固態(tài)硬盤eSSD)的需求將顯著增長。
盡管傳統(tǒng)內存需求不斷上升，但內存供應商仍在優(yōu)先投資高帶寬內存(HBM)，為此犧牲了傳統(tǒng)內存的產能投入。因此，我們預計2026年整體內存市場的供需關系將趨緊，進而對內存價格形成上漲壓力?！?/p>
基于這一判斷，花旗重申了對美光科技(MU.US)、SanDisk(SNDK.US)、三星及SK海力士的“買入”評級。
花旗進一步分析稱，2026年DRAM的供應量與需求量預計將同比分別增長17.5%和20.1%，供需增速差凸顯了該品類的失衡風險;NAND閃存方面，預計2026年供應量同比增長16.5%，而需求量同比增幅將高達21.4%，供需缺口同樣顯著。
分析師還補充道，預計2026年晶圓廠設備支出將同比增長11.1%，這一增長的核心邏輯是，內存供應商大概率會繼續(xù)將資源向高帶寬內存(HBM)傾斜，而非傳統(tǒng)內存。具體來看，2026年DRAM領域的資本支出(capex)預計同比增長12.2%，NAND閃存領域的資本支出預計同比增長9%。
